特許
J-GLOBAL ID：200903064041094382
発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-080935
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288988
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】酸化物透明電極層が発光層部のp型層側に設けられているにもかかわらず、発光層駆動のための順方向電圧を十分に低減でき、ひいては低い駆動電圧により高輝度を実現できる発光素子を提供する。【解決手段】発光素子100は、主化合物半導体層50の第一主表面MP1に、p型第一主表面側層20よりも有効キャリア濃度が高くなるようにp型ドーパントが添加されたp型高濃度ドーピング層32と、p型第一主表面側層20よりも有効キャリア濃度が高くなるようにn型ドーパントが添加されたn型高濃度ドーピング層31とがこの順序で形成された反転ダイオード部33を有し、発光層部24のp型層側に正極性電圧を印加するための酸化物透明電極層30が、反転ダイオード部33のn型高濃度ドーピング層31と接して形成される。酸化物透明電極層30が正極性となるように発光層部24に順方向駆動電圧を印加することにより、逆バイアス状態となる反転ダイオード部33のp-n接合をトンネル効果により通過させつつ発光層部24に駆動電流を供給する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p-n接合部をなす発光層部を有するとともに、第一主表面側がp型層面となり、第二主表面側がn型層面となる主化合物半導体層を備え、該主化合物半導体層の前記p型層面をなす化合物半導体層をp型第一主表面側層として、
前記主化合物半導体層の前記第一主表面に、前記p型第一主表面側層よりも有効キャリア濃度が高くなるようにp型ドーパントが添加されたp型高濃度ドーピング層と、前記p型第一主表面側層よりも有効キャリア濃度が高くなるようにn型ドーパントが添加されたn型高濃度ドーピング層とがこの順序で形成された反転ダイオード部と、
前記発光層部のp型層側に正極性電圧を印加するために、前記反転ダイオード部の前記n型高濃度ドーピング層と接して形成された酸化物透明電極層と、
前記発光層部のn型層側に負極性電圧を印加するための負極側電極とを備え、
前記酸化物透明電極層が正極性、前記負極側電極が負極性となる極性で前記発光層部に順方向駆動電圧を印加することにより、逆バイアス状態となる前記反転ダイオード部のp-n接合をトンネル効果により通過させつつ前記発光層部に駆動電流を供給することを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 B
, H01L21/28 301B
4M104AA05
, 4M104BB11
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104GG04
, 5F041AA03
, 5F041AA31
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA88
, 5F041CB33
