特許

J-GLOBAL ID：200903064043548747

半導体の検査方法

発明者： 井古田 まさみ ,  杉本 有俊 ,  増田 弘生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-333378
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173019
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 検査感度を向上する。【解決手段】 半導体装置の製造工程内で、画像信号又は散乱・回折光信号を所定の閾値と比較し、異物・欠陥を抽出する検査方法において、異物・欠陥検出閾値をウエハ中心からの距離r、回転角θの関数を設定する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造工程内で、画像信号又は散乱・回折光信号を所定の閾値と比較し、異物・欠陥を抽出する検査方法において、異物・欠陥検出閾値をウエハ中心からの距離r、回転角θの関数を設定することを特徴とする半導体の検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/88

FI (3件)：

H01L 21/66 J ,  G01B 11/30 D ,  G01N 21/88 E