特許

J-GLOBAL ID：200903064043614227

アルミニウム合金および電子デバイス

発明者： 安住 和久 ,  幅崎 浩樹 ,  由桐 拓真 ,  瀬尾 眞浩 ,  川島 敏
出願人/特許権者： メルテックス株式会社
代理人 (2件)： 米田 潤三 ,  皿田 秀夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-229403
公開番号（公開出願番号）：特開2004-068086
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】良好な密着性、被膜外観をもつニッケル膜を無電解ニッケルめっきにより直接形成可能なアルミニウム合金と、このようなアルミニウム合金電極を備えた電子デバイスを提供する。【解決手段】ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの少なくとも1種を0.1〜8atomic%の範囲で含有するアルミニウム合金とすることにより、置換めっき処理を行うことなく直接無電解ニッケルめっきが可能となり、また、ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの1種以上を0.1〜8atomic%の範囲で含有したアルミニウム合金電極を備える電子デバイスとすることにより、電極表面に無電解ニッケルめっきにより直接ニッケル膜を形成することができるものとした。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

置換めっき処理を行うことなく直接無電解ニッケルめっきが可能なアルミニウム合金において、 ニッケル、鉄、銅、白金およびパラジウムの少なくとも1種を0.1〜8atomic%の範囲で含有することを特徴とするアルミニウム合金。

IPC (5件)：

C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288

FI (5件)：

C23C18/31 A ,  C23C18/32 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 301 ,  H01L21/288 E

Fターム (12件)：

4K022AA02 ,  4K022AA41 ,  4K022AA47 ,  4K022BA14 ,  4K022BA35 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  4M104HH12