特許

J-GLOBAL ID：200903064054663572

半導体集積回路

発明者： 堂ヶ崎 士行 ,  星田 匠
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331268
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148625
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 異電源で動作するCMOS回路同士が接続された構成で、無駄な消費電力を削減する。【解決手段】 RTC回路2内部に、ANDゲート25を設け、その出力をRTC回路2の内部信号26とする。RTC制御回路電源5がオフの時はリセット信号8が“L”で、内部信号26が“L”に固定されるため、従来のプルダウン抵抗が不要となり、出力バッファ24の信号6が“H”でも、RTC制御回路電源5に無駄な消費電力を発生しない。RTC制御回路電源5のみがオフに移行した場合、RTC制御回路電源5の電圧は徐々に降下して“L”になる。このとき、出力バッファ24の信号6が“H”であっても、リセット信号8は、RTC制御回路電源5の電圧が所定のレベルを下回ると“L”となるため、内部信号26も“L”となり、RTC回路2内に貫通電流が流れない。

請求項（抜粋）：

第1の電源で動作する入力回路と、出力電圧が変動する第2の電源で動作し前記入力回路へハイまたはローレベルの出力信号を供給するCMOSインバータを有する出力回路とを備えた半導体集積回路であって、前記入力回路の内部に前記出力回路のCMOSインバータの出力信号を入力する制御手段を設け、前記制御手段は、前記第2の電源電圧が所定電圧以上のときは前記CMOSインバータの出力信号を前記入力回路の内部信号として出力し、前記第2の電源電圧が前記所定電圧未満のときはローレベルを前記入力回路の内部信号として出力するようにしたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H03K 17/16 ,  G04G 1/00 308

FI (2件)：

H03K 17/16 J ,  G04G 1/00 308