特許
J-GLOBAL ID：200903064060756370
電界効果型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312584
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147395
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 素子動作時に、ゲート電極の直下を通過する電子は、高濃度に不純物がド-プされたチャネル層を通ることにより発生する雑音を低減し、雑音指数の大幅な向上を図ることを目的とする。【構成】 半導体基板10上に、第1の半導体からなるバッファ層4、この第1の半導体より電子親和力が大きい第2の半導体からなるアンド-プのチャネル層3、前記第1の半導体より電子親和力が大きい第3の半導体からなるチャネル層2、前記第2、第3の半導体より電子親和力が小さい第4の半導体層1、及び第5の半導体からなるキャップ層5を備え、前記キャップ層5に接続する1対の電極6、7と、この電極内の前記第4の半導体層1に配設されたゲート電極8とを設けてなる電界効果型半導体装置である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1の半導体からなるバッファ層、この第1の半導体より電子親和力が大きい第2の半導体からなるアンド-プのチャネル層、前記第1の半導体より電子親和力が大きい第3の半導体からなるチャネル層、前記第2、第3の半導体より電子親和力が小さい第4の半導体層、及び第5の半導体からなるキャップ層を備え、前記キャップ層に接続する1対の電極と、この電極内の前記第4の半導体層に配設されたゲート電極とを設けてなる電界効果型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
