特許

J-GLOBAL ID：200903064072556937

半導体ウェーハの厚さ測定方法、半導体基板、その基板の評価方法、化合物半導体検査方法及び化合物半導体検査装置

発明者： 古 川 和 由 ,  夏 目 嘉 徳 ,  宮 川 雅 文 ,  荻 野 正 信 ,  鷲 塚 章 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-117027
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086358
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗拡散層と高抵抗層の二層構造を有する半導体ウェーハの、高抵抗層の厚さを測定するに当たり、これがどのような濃度プロファイルのウェーハであっても、非破壊により、高抵抗層の厚さを高精度で短時間に測定する。【構成】 所定の波長の赤外線のビームBをI層2に照射し、I層2と低抵抗拡散層3の界面5で反射したビームYと、ウェーハ表面4で反射したビームXの光学的干渉情報を求め、これによりI層2の厚さを破壊検査により測定して第1の測定値を求めておき、次いでI層2の厚さを遠赤外線を用いたフーリェ変換赤外分光法により非破壊で測定して第2の測定値を求め、続いて第1の測定値と第2の測定値の関係に基づいて第2の測定値に対する較正式を求め、次いでサンプル部と同条件のI層2に対して上記と同様の非破壊で厚さを求め、この求めた値に較正式に基づく補正を加えて被測定部の厚さを得る。

請求項（抜粋）：

不純物を拡散した低抵抗層と拡散しない高抵抗層の二層構造を有する半導体ウェーハの前記高抵抗層にその表面側から遠赤外光を入射し、その表面で反射する反射光と、前記高及び低抵抗層の界面で反射する反射光との干渉縞から前記高抵抗層の厚さを求め、求めた第1の値を前記遠赤外光の干渉を用いない他の方法により求め得る第2の値に変換することを特徴とする厚さ測定方法。