特許
J-GLOBAL ID：200903064072835585
ポリッシュ工程を備えた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-040125
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315441
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 どの凹部領域上にも埋め込み材料が残ることなく平坦化を達成でき、平坦性の良好な凹部埋め込みを実現できる半導体装置の製造手段の提供。【構成】 ?@凹部埋め込み工程の後に液相CVD膜を形成する液相CVD膜6形成工程を備える、ポリッシュ工程を含む半導体装置の製造方法。?A液相CVD膜6形成工程後、広い被埋め込み凹部41以外の部分の液相CVD膜6を除去して該凹部上の液相CVD膜61を残し、該液相CVD膜61をマスクとして埋め込み材料5を除去し、その後ポリッシュ工程を行う半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
複数の凹部が形成された基板上に堆積手段により凹部埋め込み材料を形成する埋め込み工程と、ポリッシュにより埋め込み材料を平坦化するポリッシュ工程とを含む半導体装置の製造方法において、凹部埋め込み工程の後に液相CVD膜を形成する液相CVD膜形成工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/76
, H01L 21/304 321
