特許

J-GLOBAL ID：200903064073624782

半導体装置の製造方法

発明者： 荒谷 達次
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276342
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139189
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、半導体基板上に形成してある素子のコンタクト領域を除く領域に樹脂被覆を行う。【構成】 コンタクト領域を含む半導体基板上に第1のレジスト層を形成する工程と、第1のレジスト層を選択エッチングし、コンタクト領域の上にのみ第1のレジスト層を残す工程と、第1のレジスト層を含む基板上に樹脂層を形成する工程と、樹脂層の上に第2のレジスト層を形成し、第2レジスト層のコンタクト領域対応位置を窓開けする工程と、基板を溶剤に浸漬してコンタクト領域対応位置にある樹脂を第1のレジスト層に達するまで溶解させる工程と、第1および第2のレジスト層を溶解し除去する工程と、基板を加熱して樹脂層を硬化させる工程とからなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成してある半導体素子に対し、該素子のコンタクト領域を除いた領域に樹脂を被覆して保護皮膜を形成する工程が、該コンタクト領域を含む半導体基板上に第1のレジスト層を形成する工程と、該第1のレジスト層を選択エッチングし、前記コンタクト領域上にのみ第1のレジスト層を残す工程と、該第1のレジスト層を含む基板上に樹脂層を形成する工程と、該樹脂層の上に第2のレジスト層を形成し、該第2レジスト層のコンタクト領域対応位置を窓開けする工程と、該基板を溶剤に浸漬してコンタクト領域対応位置にある樹脂を前記第1のレジスト層に達するまで溶解させる工程と、第1および第2のレジスト層を溶解し除去する工程と、該基板を加熱して樹脂層を硬化させる工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/768 ,  B05D 1/40 ,  B05D 7/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/60 301

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/306 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-003329
  
• 特開平1-059942
  
• 特開昭60-250650