光半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154041
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015093
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】光半導体素子に関し、特に低消費電力・高速応答・高消光比を有する電界吸収型光変調素子及び屈折率変化型光変調素子、更に広い波長可変を有する波長可変半導体レーザ素子に関する。【構成】電界吸収型光変調素子における光吸収層、屈折率光変調素子における光変調層、波長可変半導体レーザにおけるチューニング層に次なるバンド構造を有する超格子構造を用いる。超格子構造を形成する半導体材料1、2の電子親和力χ<SB>1 </SB>、χ<SB>2 </SB>、禁制帯エネルギーE<SB>g 1 </SB>,E<SB>g 2 </SB>とした場合、χ<SB>1 </SB><χ<SB>2 </SB>且つχ<SB>1 </SB>+E<SB>g 1 </SB><χ<SB>2 </SB>+E<SB>g 2 </SB>を満たす超格子構造である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、超格子構造を有する半導体素子において、前記超格子構造を形成する半導体材料1、2の電子親和力χ<SB>1 </SB>、χ<SB>2 </SB>、禁制帯エネルギーE<SB>g 1 </SB>、E<SB>g 2 </SB>が次なる関係を有する事を特徴とする光半導体素子。χ<SB>1 </SB><χ<SB>2</SB>χ<SB>1 </SB>+E<SB>g 1 </SB><χ<SB>2 </SB>+E<SB>g 2</SB>

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G02F 1/31 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭59-172785
特開昭59-172785
特開平4-277686

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