マグネシウムを含有するAl-Si系配線の製造方法及びその配線を有する半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金山敏彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053767
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267953
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】優れた耐エレクトロマイグレーション性及び耐ストレスマイグレーション性を有し、配線シート抵抗の増大を抑制する至適量のマグネシウムを均一に含有するAl-Si系配線の製造方法及びその配線を有する半導体装置を提供する。【構成】本発明のMgを含むAl-Si系配線の製造方法は、0.1wt%以上、1wt%以下のマグネシウムを含むAl-Siからなる合金を半導体基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程の後、該合金膜の組成成分が均一になるように加熱保持した後急冷する溶体化処理工程と、溶体化処理工程後、該合金膜を第1の所定温度に保持する第1の時効処理工程と、第1の時効処理工程後、該合金膜を第2の所定温度に保持する第2の時効処理工程とを有する。

請求項（抜粋）：

0.1wt%以上、1wt%以下のマグネシウムを含むAl-Si膜からなる合金を半導体基板上に成膜する成膜工程と、前記成膜工程で成膜された合金膜を溶体化する溶体化処理工程と、溶体化処理後、溶体化温度から200°C以下に急冷する工程と、前記溶体化処理後、急冷された合金膜を第1の所定温度に保持する第1の時効処理工程と、前記第1の時効処理された合金膜を第1の時効処理温度よりも高い第2の所定温度に保持する第2の時効処理工程と、を有することを特徴とするマグネシウムを含有するAl-Si系配線の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , C22C 23/02

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-233737
特開平4-031250
特開昭62-026840

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