特許
J-GLOBAL ID：200903064079525085
光集積回路及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 増顕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054423
公開番号（公開出願番号）：特開平5-215927
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 光集積回路において、DCドリフトを抑制する。【構成】 光集積回路において、基板と、基板上に形成したTi拡散導波路と、基板上でTi拡散導波路と接続して形成したプロトン交換導波路と、Ti拡散導波路部分のみに設けられたアニール処理を施したバッファ層を設ける。
請求項（抜粋）：
基板と、基板上に形成したTi拡散導波路と、基板上でTi拡散導波路と接続して形成したプロトン交換導波路と、Ti拡散導波路部分のみに設けられたアニール処理を施したバッファ層とを有することを特徴とする光集積回路。
IPC (2件)：
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