特許

J-GLOBAL ID：200903064080517509

絶縁膜の平坦化方法

発明者： 橋 本 毅 ,  徳 永 恭 二
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259134
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】アルカリ金属による汚染の問題がなく、パーティクルの発生もなく、また加工圧力を小さくして加工歪の残留を低減し、その加工歪の残留による悪影響等の問題を生じずに、絶縁膜をメカノケミカルポリシングにより平坦化することができる方法の提供。【構成】半導体基板上に形成された絶縁膜にメカノケミカルポリシングを施して、絶縁膜表面を平坦化する方法であって、フッ化水素酸水溶液に研磨剤を懸濁させてなる研磨液を用いる絶縁膜の平坦化方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜にメカノケミカルポリシングを施して、絶縁膜表面を平坦化する方法であって、フッ化水素酸水溶液に研磨剤を懸濁させてなる研磨液を用いる絶縁膜の平坦化方法。