特許
J-GLOBAL ID：200903064088599806
バンプの形成方法およびめっき装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332919
公開番号（公開出願番号）：特開平11-158687
出願日： 1997年12月03日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】 めっき液に所定量混入させた気泡をめっき金属のレジストとして活用することにより製造工程を簡略化し、かつ歩留りを向上させて微細なバンプを均一に形成できるバンプの形成方法を提供する。【解決手段】 第1基板17の凹凸形成面に気泡20を混入させためっき液を噴射し、前記気泡20を凹部に侵入させてめっきを施し、前記第1基板17の凸部にめっき金属から成るバンプを形成するめっき工程と、前記第1基板17の凸部にバンプが形成されたバンプ形成面17aと前記バンプを転写される第2基板23の端子形成面23aとを対向させて加熱し、前記第1基板17の凸部に形成されたバンプを前記第2基板23に形成された端子22に転写する転写工程とを有する。
請求項（抜粋）：
第1基板の凹凸形成面に気泡を混入させためっき液を噴射し、前記気泡を凹部に侵入させてめっきを施し、前記第1基板の凸部にめっき金属から成るバンプを形成するめっき工程と、前記第1基板の凸部にバンプが形成されたバンプ形成面と前記バンプを転写される第2基板の端子形成面とを対向させて加熱し、前記第1基板の凸部に形成されたバンプを前記第2基板に形成された端子に転写する転写工程と、を有することを特徴とするバンプの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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