特許

J-GLOBAL ID：200903064090757915

無転位シリコン単結晶成長に用いる種子結晶および無転位シリコン単結晶の製造方法

発明者： 干川 圭吾 ,  黄 新明
出願人/特許権者： 信州大学長
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-339280
公開番号（公開出願番号）：特開2002-145694
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 広い不純物濃度範囲の無転位シリコン単結晶をネッキング工程を用いずに製造することを可能にするシリコン種子結晶を提供する。【解決手段】 無転位シリコン単結晶の成長に用いるシリコン種子結晶であって、シリコンよりも結合半径が大きい不純物元素と、シリコンよりも結合半径が小さい不純物元素とを含むことを特徴とするシリコン種子結晶。

請求項（抜粋）：

無転位シリコン単結晶の成長に用いるシリコン種子結晶であって、シリコンよりも結合半径が小さい不純物元素と、シリコンよりも結合半径が大きい不純物元素とを含むことを特徴とするシリコン種子結晶。

IPC (5件)：

C30B 15/36 ,  C30B 13/34 ,  C30B 29/06 501 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

C30B 15/36 ,  C30B 13/34 ,  C30B 29/06 501 A ,  C30B 29/06 502 F ,  H01L 21/208 Z

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CE03 ,  4G077CF10 ,  4G077ED01 ,  4G077HA12 ,  4G077PJ01 ,  5F053AA12 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053KK02 ,  5F053KK03 ,  5F053RR04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-139092