特許

J-GLOBAL ID：200903064100556352

半導体レーザ装置

発明者： 内藤 浩樹 ,  粂 雅博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-272007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326818
出願日： 1994年11月07日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 光情報処理等の光源として用いられる高歩留りで低コストの実屈折率導波型の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 p型の半導体基板1の上側に屈折率がnX である活性層4が形成され、活性層4の上に屈折率がnY1であるn型の第1の光ガイド5が形成され、第1の光ガイド層5の上に屈折率がnY2であるn型の第2の光ガイド層6がストライプ状に形成され、第1および第2の光ガイド層5,6の上に屈折率がnY3であるクラッド層7が形成されている。第1の光ガイド層5とクラッド層7との間の界面抵抗は、第1の光ガイド層5と第2の光ガイド層6との間の界面抵抗および第2の光ガイド層6とクラッド層7との界面抵抗のいずれよりも大きい。活性層4の屈折率nX は第1の光ガイド層5の屈折率nY1よりも大きい。第2の光ガイド層5の屈折率nY2はクラッド層7の屈折率nY3よりも大きい。前記構成の半導体レーザチップが導電性のヒートシンク上に活性層4側の面がヒートシンクに接するようにマウントされている。

請求項（抜粋）：

p型の半導体基板の上側に屈折率がnX である活性層が形成され、該活性層の上に屈折率がnY1であるn型の第1の半導体層が形成され、該第一の半導体層の上に屈折率がnY2であるn型の第2の半導体層がストライプ状に形成され、前記第1の半導体層および第2の半導体層の上に屈折率がnY3であるn型の第3の半導体層が形成され、前記活性層、第1の半導体層、第2の半導体層および第3の半導体層は、第1の半導体層と第3の半導体層との間の界面抵抗が、第1の半導体層と第2の半導体層との間の界面抵抗および第2の半導体層と第3の半導体層との間の界面抵抗のいずれよりも大きくなり、活性層の屈折率nX が第1の半導体層の屈折率nY1よりも大きくかつ第2の半導体層の屈折率nY2が第3の半導体層の屈折率nY3よりも大きくなるように形成された半導体レーザチップが導電性材料よりなるヒートシンク上に前記第3の半導体層側の面が前記ヒートシンクに接するようにマウントされてなることを特徴とする半導体レーザ装置。