特許

J-GLOBAL ID：200903064103164382

半導体装置のボンディング方法およびボンディング装置

発明者： 佐藤 公治 ,  橋本 知明 ,  安永 雅敏
出願人/特許権者： 株式会社新川 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-143229
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050320
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップの突起電極とリードとをボンディングする際、突起電極とリードとの潰れすぎを防ぎ、最終的に得られる突起電極とリードとの合計高さのばらつきを小さくする。【構成】 ボンディングツールとボンディングステージとの温度差を小さくするようにボンディングステージを予め加熱しておく。ボンディングステージの材質として、ジルコニアを選ぶ。

請求項（抜粋）：

突起電極を有する半導体チップをボンディングステージ上に載置し、リードを前記突起電極上に重なるように配置した状態で、所定の温度に加熱されたボンディングツールによって重ね合わされた前記リードと前記突起電極とを加圧することによってリードと突起電極とを圧着するボンディング方法において、前記圧着に先立ち、前記ボンディングツールと前記ボンディングステージとの温度差を小さくするように前記ボンディングステージを予め加熱しておくことを特徴とする、半導体装置のボンディング方法。