重ね合わせ精度の測定方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181351
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036014
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上に予め形成されているパターンと露光されたパターンとの間の重ね合わせ精度の測定方法に於いてポジーネガ反転レジストパターンを用いることにより重ね合わせ測定精度を向上する。【構成】TiやW等の金属を含む材料あるいは多結晶材料により予め形成されている第1の重ね合わせ精度測定パターン6に対応する第3の重ね合わせ精度測定パターン14と露光された第2の重ね合わせ精度測定パターン10との間で重ね合わせ精度測定を行なう。第3の重ね合わせ精度測定パターン14は電子線露光及び第1の重ね合わせ精度測定パターン6からの反射電子によりレジスト膜8が過剰露光となりポジレジストがネガ反転し形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の重ね合わせ測定パターンを含む所定の導電膜パターンを形成し、絶縁膜を堆積し、ポジ-ネガ反転特性を有するレジスト膜を形成し、前記導電膜パターンと位置合わせをして前記レジスト膜の複数領域を露光することにより前記第1の重ね合わせ精度測定パターン上方の第2の重ね合わせ測定パターンを含む複数のパターンを形成する際に、前記第1の重ね合わせ精度測定パターン直上部で前記第1の重ね合わせ精度測定パターンからの反射によりポジ-ネガ反転する条件で前記露光を行ない前記第1の重ね合わせ精度測定パターンに対応する第3の重ね合わせ精度測定パターンを形成し、前記第2の重ね合わせ精度測定パターンと第3の重ね合わせ精度測定パターンの相対位置を求めることを特徴とする重ね合わせ精度の測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 , H01L 21/66

FI (4件)：

H01L 21/30 502 V , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/66 J

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