特許

J-GLOBAL ID：200903064109729233

導電性薄膜パターン基板の製造方法及び導電性薄膜パターン基板並びに表示素子

発明者： 山浦 辰雄 ,  伊藤 茂生
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306035
公開番号（公開出願番号）：特開2001-195926
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 従来のような面倒な後処理が不要で、環境にも優しいローコストなプロセスで基板を作成する。さらに、機械的、化学的強度が大きく透明導電膜として有望である、SnSbO薄膜を、容易にパターン形成できるようにする。【解決手段】 絶縁性を有するガラス等の基板1上に、InSnO系、SnSbO系、ZnAlO系またはAlの薄膜2を形成し、前記薄膜の上にリン酸系の低軟化点ガラスペースト3を成膜する。前期リン酸系の低軟化点ガラスペーストをから成る絶縁層と接する領域の前記薄膜の構成成分がガラス領域に溶解して絶縁層領域4が形成され、導電性薄膜領域を電極としてパターニングすることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に導電性薄膜の形成工程と、該絶縁性基板表面に形成された導電性薄膜をガラス化し得る化学組成を有する低軟化点ガラスを構成要素とする厚膜絶縁層をパターン形成する工程と、前記厚膜絶縁層領域の下層の導電性薄膜を前記厚膜絶縁層と一体にガラス化する焼成工程を有することを特徴とする導電性薄膜パターン基板の製造方法。

IPC (8件)：

H01B 13/00 503 ,  C03C 17/34 ,  H01B 5/14 ,  H01J 9/02 ,  H01J 9/227 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/15

FI (8件)：

H01B 13/00 503 D ,  C03C 17/34 Z ,  H01B 5/14 Z ,  H01J 9/02 B ,  H01J 9/227 F ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 31/15 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• アルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-039869   出願人：太陽インキ製造株式会社