特許
J-GLOBAL ID:200903064113073423

薄膜電子部品用電極、薄膜電子部品及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 岡田 賢治 ,  今下 勝博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-345803
公開番号(公開出願番号):特開2007-150186
出願日: 2005年11月30日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
【課題】本発明の目的は、電極材料として安価なCu又はNiを用いて電極を高温で焼いた場合においても粒成長による凹凸の発生を抑制し、結果として誘電体層を高温焼成しうる薄膜電子部品用電極及びその薄膜電子部品並びにその製造方法を提供することである。【解決手段】本発明に係る薄膜電子部品用電極は、基板上に形成された薄膜電子部品の電極において、主成分としてCu若しくはNiを含有し且つ副成分として前記主成分の金属の融点よりも210°C以上高い融点を有する金属を含有する金属層又は合金層からなることを特徴とする。本発明に係る薄膜電子部品は、当該電極を使用する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に形成された薄膜電子部品の電極において、主成分としてCu若しくはNiを含有し且つ副成分として前記主成分の金属の融点よりも210°C以上高い融点を有する金属を含有する金属層又は合金層からなることを特徴とする薄膜電子部品用電極。
IPC (3件):
H01G 4/33 ,  H01G 4/008 ,  H01G 4/12
FI (3件):
H01G4/06 102 ,  H01G1/01 ,  H01G4/12 397
Fターム (10件):
5E001AB06 ,  5E001AC04 ,  5E001AC09 ,  5E001AH01 ,  5E001AJ01 ,  5E082AB01 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082EE35
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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