特許

J-GLOBAL ID：200903064116160106

結晶成長方法および半導体装置製造方法

発明者： 岡安 潤一 ,  小林 恒誠 ,  中村 陽登
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065579
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260719
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 チャンバを腐食させない原料ガスを用いて、高濃度p型ドーピングを可能とする結晶成長方法および半導体装置生成方法を提供する。【解決手段】 TEGa、AsH3およびCI2H2が、H2キャリアガスによりチャンバ10内に導入される。TEGaおよびAsH3は、加熱されたGaAs基板18上で反応して、GaAsの化合物半導体結晶をGaAs基板18上に成長させる。GaAsの成長中、CI2H2が成長結晶表面で熱エネルギを与えられて熱分解される。その結果、CがキャリアとしてGaAs成長結晶中に混入し、GaAs結晶層がp型ドーピングされる。本発明者による実験により、CI2H2ガスは、メモリ効果を生じさせず、チャンバ10に損傷を与えないことが確認された。また、p型ドーピング材料としてCI2H2ガスを用いることにより、p型ドーピング工程の後、同一チャンバ内で連続してHEMTを生成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に配置された半導体基板上に、少なくとも第1構成元素および第2構成元素を有する化合物半導体結晶を成長させる結晶成長方法であって、前記第1構成元素を含む有機金属化合物、前記第2構成元素を含む分子化合物、およびCI2H2を前記チャンバ内に供給して、p型ドーピングされた前記化合物半導体結晶を成長させる化合物半導体結晶成長工程と、前記化合物半導体結晶成長工程においてp型ドーピングされた前記化合物半導体結晶が成長された後、前記チャンバ内にN2ガスを供給し、前記化合物半導体結晶をアニールするアニール工程とを備えることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H

Fターム (50件)：

5F003BA92 ,  5F003BF06 ,  5F003BJ16 ,  5F003BM03 ,  5F003BP08 ,  5F003BP32 ,  5F003BP42 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD03 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE23 ,  5F045AF01 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045CB02 ,  5F045DA51 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DP13 ,  5F045DP15 ,  5F045EE01 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045HA16 ,  5F102GA12 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01