特許

J-GLOBAL ID：200903064117989929

低温焼成セラミック回路基板の製造方法

発明者： 坂ノ上 聡浩
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396720
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198626
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】ワイヤボンディング強度を確保した低温焼成セラミック回路基板を提供する【解決手段】Agを主成分とする金属成分と非晶質ガラスフリットとから成る導電性ペーストでボンディングパッド41もしくはフリップチップ接続パッド42を形成したセラミックグリーンシート積層体を、800〜1000°Cで焼成する低温焼成セラミック回路基板10において、非晶質ガラスフリットの作業点温度が、セラミックグリーンシートの焼成温度より低く、且つ非晶質ガラスフリットは、導電性ペースト中に、0.5〜10.0wt%(固形分比)含有されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

セラミックグリーンシート基体上に、Agを主成分とする金属成分と非晶質ガラスフリットとから成る導電性ペーストによりボンディングパッドもしくはフリップチップ接続パッドを含む表面配線導体膜となる導体を形成するとともに、前記基体と導体とを800〜1000°Cで焼成して成る低温焼成セラミック回路基板の製造方法において、前記非晶質ガラスフリットの作業点温度は、前記セラミックグリーンシート基体の焼成温度より低く、700〜950°Cの範囲であり、且つ前記非晶質ガラスフリットは、前記導電性ペーストの固形分比で0.5〜10.0wt%含有されていることを特徴とすることを低温焼成セラミック回路基板の製造方法。

IPC (5件)：

H05K 1/09 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/14 ,  H05K 3/12 610 ,  H05K 3/46

FI (7件)：

H05K 1/09 A ,  H05K 3/12 610 M ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/14 M

Fターム (39件)：

4E351AA07 ,  4E351BB31 ,  4E351CC12 ,  4E351CC22 ,  4E351CC31 ,  4E351DD05 ,  4E351EE02 ,  4E351EE03 ,  4E351EE09 ,  4E351GG01 ,  4E351GG11 ,  5E343AA02 ,  5E343AA23 ,  5E343BB25 ,  5E343BB72 ,  5E343BB74 ,  5E343DD02 ,  5E343ER39 ,  5E343FF11 ,  5E343GG01 ,  5E343GG18 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA32 ,  5E346AA51 ,  5E346CC18 ,  5E346CC39 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346FF45 ,  5E346GG06 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11 ,  5E346HH13