特許
J-GLOBAL ID：200903064119137873
半導体装置の配線構造のコンタクト形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-149131
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330979
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 含水率の高い平坦化絶縁膜を有する多層絶縁膜を介した配線構造において、コンタクト不良を防止したコンタクト形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の配線構造の本コンタクト形成方法は、含水率の高い平坦化絶縁膜を有する多層絶縁膜を介した配線構造のコンタクトを形成する方法であって、(1)半導体基板20上に第1配線層21を形成する工程と、(2)第1絶縁膜22、平坦化絶縁膜23及び第2絶縁膜24を順次成膜してなる多層絶縁膜を基板全面に形成する工程と、(3)コンタクトのレジストパターン25を形成する露光現像工程と、(4)第2絶縁膜と平坦化絶縁膜とをエッチングして、第1絶縁膜を露出させたホール26を形成する第1のエッチング工程と、(5)平坦化絶縁膜のホール壁を酸化して、アッシング耐性又は有機洗浄耐性に優れた高密度絶縁膜27に変質させる変質化工程と、(6)第1絶縁膜をエッチングして、第1配線層を露出させたコンタクトホール28を形成する第2のエッチング工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
含水率の高い平坦化絶縁膜を有する多層絶縁膜を介した配線構造のコンタクトを形成する方法において、半導体基板上に第1配線層を形成する工程と、第1絶縁膜、平坦化絶縁膜及び第2絶縁膜を順次成膜してなる多層絶縁膜を第1配線層上で基板全面に形成する工程と、コンタクトのレジストパターンを形成する露光現像工程と、第2絶縁膜と平坦化絶縁膜とをエッチングして、第1絶縁膜を露出させたホールを形成する第1のエッチング工程と、平坦化絶縁膜のホール壁を酸化して、アッシング耐性又は有機洗浄耐性に優れた高密度絶縁膜に変質させる変質化工程と、第1絶縁膜をエッチングして、第1配線層を露出させたコンタクトホールを形成する第2のエッチング工程とを備えることを特徴とする半導体装置の配線構造のコンタクト形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 L
, H01L 21/90 J
