特許
J-GLOBAL ID：200903064127874372
不揮発性半導体メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057426
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275085
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】消去領域を任意に設定できる不揮発性半導体メモリ素子を提供する。【構成】 情報を記憶する記憶手段と、該記憶手段に対して情報の読み書きを行う読み書き手段と、前記記憶手段の記憶情報の一括消去とあらかじめ定めた固定領域のブロック単位の消去とを行う消去手段31とを有し、前記記憶手段は、複数のセルを行と列とに配置し、前記消去手段31は、該1または複数の行を前記ブロック単位とする不揮発性半導体メモリ素子におけるデータ消去方法であって、前記ブロックの位置と該ブロック内の消去領域と該領域の消去指示とを含む入力指示を受け付け、受け付けたブロック内の消去領域に従って、前記セルの列ごとに、前記消去手段における消去を抑止して消去を行う。
請求項（抜粋）：
情報を記憶する記憶手段と、該記憶手段に対して情報の読み書きを行う読み書き手段と、前記記憶手段の記憶情報の一括消去とあらかじめ定めたブロック単位の消去とを行う消去手段とを有し、前記記憶手段は、複数のセルを行と列とに配置し、前記消去手段は、該1または複数の行を前記ブロック単位とする不揮発性半導体メモリ素子において、前記ブロックの位置と該ブロック内の消去領域と該領域の消去指示とを含む入力指示を受け付ける入力手段と、該入力手段で受け付けたブロックの位置に従って前記消去手段による当該ブロックの情報の消去制御を行う制御手段と、前記セルの列ごとに設けられ、前記消去手段による当該列の情報の消去を抑止する抑止手段と、前記入力手段で受け付けたブロック内の消去領域に従って前記抑止手段の消去抑止の解除を行う解除手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。
引用特許：
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