特許

J-GLOBAL ID：200903064131214603

ハイブリッド導体と多半径ドームシーリングを持つRFプラズマリアクタ

発明者： ゲラルド イン ,  ダイアナ シアビン マ ,  ピーター ローヴェンハート ,  フィリップ サルツマン ,  アレン ザウ ,  ヒロジ ハナワ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357488
公開番号（公開出願番号）：特開平10-258227
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウェーハ面にわたってプラズマイオン密度の均一性を向上するための、プラズマリアクタの改良に関する。【解決手段】 多半径ドーム形シーリング12と、チャンバ内へ処理ガスを供給するためのガス入口とを有するリアクタチャンバ内において、半導体ウェーハ16を処理するためのRFプラズマリアクタは、前記チャンバ内において前記処理ガスのプラズマを維持するよう、前記シーリングを介して前記チャンバ内へRF信号を印加するため、前記シーリングの近傍に位置するオーバーヘッドRF信号印加装置を備え、ペデスタルの平面の近傍の前記プラズマの半径方向のイオン密度分布は、前記ペデスタル上のシーリング高さが大きい場合に中央が高く(中高)、シーリング高さが小さい場合に中央が低く(中低)、前記シーリング高さは、前記半径方向イオン密度分布が中高でも、中低でもないような、前記大きい高さと小さい高さの中間の高さである。

請求項（抜粋）：

シーリングを含むリアクタチャンバと、前記チャンバ内へ処理ガスを供給するためのガス入口と、前記チャンバ内において前記処理ガスのプラズマを維持するよう、前記シーリングを介してRF信号を前記チャンバへ印加するため前記シーリングの近傍に配置したオーバーヘッドRF信号印加装置と、被処理半導体ウェーハを、前記シーリングとほぼ対面関係で支持するため、前記チャンバ内に配置したウェーハペデスタルと、を備え、前記プラズマの半径方向イオン密度分布が、前記ペデスタル上の前記シーリングの高さが大きい場合に中高の半径方向分布となり、前記ペデスタル上の前記シーリングの高さが小さい場合に中低の半径方向分布となり、前記シーリングの前記高さは、前記半径方向イオン密度分布が前記中高および中低半径方向分布の中間となるような、前記大きい高さと小さい高さの中間にある、RFプラズマリアクタ。

IPC (5件)：

B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

B01J 19/08 H ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/02 B ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B