露光装置、露光マスク、露光方法、表示装置及び電子部品

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359294
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162065
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】塵埃等による感光性材料のパターン欠陥を低減する。【解決手段】 1回目の露光後に、1回目の露光で露光済みの部分の一部に露光マスク201のマスクパターンが重なるように、露光マスク201のマスクパターンと露光対象基板300との平面視における重なり位置を所定量変化させて、再度、露光を行う。例えば、ドライフィルムレジスト60がネガ型の場合、マスク201の透光部201aのパターンは、露光現像後に残存させるべき(設計上の)ドライフィルムレジスト60の所定パターンの一部のみに対応する。

請求項（抜粋）：

感光性材料を有する露光対象基板を支持する基板ステージと、露光マスクを支持するマスクステージと、露光光源と、前記露光光源からの露光光の出射を制御すると共に、前記マスクステージ又は/及び前記基板ステージの位置を制御して前記露光マスクと前記露光対象基板との相対位置を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記露光光源によって前記露光マスクのマスクパターンを前記感光性材料に一括露光転写する露光制御と、前記露光マスクと前記露光対象基板との相対位置を調整するステージ位置制御と、を順次に実施し、且つ、前記露光制御を少なくとも2回実施し、前記ステージ位置制御は、先の前記露光制御で露光済みの部分の一部に前記露光マスクの前記マスクパターンが重なるように前記露光マスクの前記マスクパターンと前記露光対象基板との平面視における重なり位置を所定量、変化させる重なり制御を含む、露光装置。

IPC (4件)：

G03F 7/20 501 , G03F 1/08 , G03F 9/00 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/20 501 , G03F 1/08 D , G03F 9/00 Z , H01L 21/30 502 C , H01L 21/30 509

Fターム (17件)：

2H095BB02 , 2H095BB36 , 2H097AA11 , 2H097AA20 , 2H097AB01 , 2H097BA10 , 2H097GA45 , 2H097JA02 , 2H097KA03 , 2H097KA28 , 2H097LA20 , 5F046AA12 , 5F046BA02 , 5F046CC01 , 5F046CC02 , 5F046DA16 , 5F046DA17

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-058359 出願人：株式会社日立製作所
特開昭56-087322
特開昭50-159268

全件表示

前のページに戻る