特許
J-GLOBAL ID：200903064136851857
有機含有誘電率材料を用いた自己整合コンタクト
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213655
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102449
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【課題】 狭く深いすき間に自己整合コンタクトを形成する。【解決手段】 絶縁導体キャップ28をもつ導体26が、薄いゲート酸化物22を持つシリコン基板20上に形成される。好ましくは熱成長酸化物である共形誘電体層30が、この構造の上に堆積され、有機含有層32と無機キャップ層34(CVD,TEOS等)で覆われる。エッチ窓38がフォトレジスト36にパターンぎめされ、マスクとして使われ、層32をエッチストップとして使って層34をとおってキャップ窓39をエッチングする。共形層30をエッチストップとして使って、2度目のエッチングが接点ウィンドウ41の有機含有層32を除去する(更に好ましくは、フォトレジストを剥がす)。
請求項（抜粋）：
半導体装置上に自己整合接点を形成する方法であって、(a) 基板上に所定の高さの2つの導体を提供し、前記導体は所定の距離をおいて配置され、(b) 前記導体及び前記基板の上に共形誘電体層を形成し、それによって前記導体間に所定の幅の絶縁されたすき間を形成し、(c) 前記導体及び前記基板の上に、前記導体を完全に覆って前記絶縁されたすき間を満たすのに十分な深さまで有機含有誘電体層を堆積し、(d) 前記有機含有誘電体層の上に無機キャップ層を堆積し、(e) 前記キャップ層をとおってキャップ窓をエッチングし、前記キャップ窓は前記すき間と実質的に垂直に整合しており、(f) 前記キャップ窓を接点ウィンドウのマスクとして用い、前記共形誘電体層に実質的な影響を及ぼさないエッチャントを用いて、前記有機含有誘電体層をとおって前記接点ウィンドウをエッチングし、それにより前記接点ウィンドウの低い部分が横方向に前記絶縁されたすき間に制限され、前記共形誘電体層が前記エッチング工程によって実質的にそのまま残される工程を含む方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28
, H01L 21/3065
, H01L 21/312
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/302 J
, H01L 29/78 301 P
