特許
J-GLOBAL ID：200903064139567033
半導体ウエハ検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260201
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115111
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 試料面上の微小なピットを誤って微粒子と識別するのを有効に防止することが可能な半導体ウエハ検査装置を提供する。【構成】 集光部30と連続するように、集光部30とは光反射率の異なる反射調整部40を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの主表面へ光ビームを照射するための投光手段と、前記半導体ウエハの主表面によって散乱された光ビームを集光するための集光手段と、前記集光手段によって集光された散乱光を受光して前記散乱光の光散乱強度量を測定するための受光手段とを備え、前記集光手段は、第1の光反射率を有する集光部と、前記第1の光反射率とは異なる第2の光反射率を有する反射調整部とを含む、半導体ウエハ検査装置。
IPC (2件)：
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