特許
J-GLOBAL ID：200903064140012622
光透過型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160019
公開番号（公開出願番号）：特開平6-347830
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、SOI基板上に形成された素子を、Si基板エッチングによって薄膜化し、光透過可能とする際、基板応力による皺や、破れ、配線の断線等の欠陥のない光透過型半導体装置を実現することにある。【構成】 絶縁物101,102上に単結晶半導体層110を有する光透過型半導体装置の製造方法において、前記基体の内部応力を引っ張り応力とする応力調節層104を含む多層膜構造を形成する工程と、前記工程後、前記基体下部の前記絶縁物領域101を除去して光透過性基体とする工程とを、含むことを特徴とする光透過型半導体装置の製造方法及びそれによる光透過型半導体装置であり、前記応力調節層として、LP-SiNx膜を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁物上に単結晶半導体層を有する光透過型半導体装置の製造方法において、前記基体の内部応力を引っ張り応力とする応力調節層を含む多層膜構造を形成する工程と、前記工程後、前記基体下部の前記絶縁物領域を除去して光透過性基体とする工程とを、含むことを特徴とする光透過型半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1345
, H01L 21/336
, H01L 29/784
