特許

J-GLOBAL ID：200903064140098446

スタティックランダムアクセスメモリ及びその製造方法

発明者： 本間 俊廣
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342695
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196657
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 メモリサイズが小さく、駆動能力比が優れたスタティックランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供する。【構成】 対称型に配置されるメモリセルを有するスタティックランダムアクセスメモリにおいて、シリコン基板上に配置されるNMOSトランジスタからなるドライバトランジスタ103,104と、その上方に形成され、多結晶シリコンPMOS薄膜トランジスタからなる負荷トランジスタ105,106と、その上方に形成され、多結晶シリコンNMOS薄膜トランジスタからなるアクセストランジスタ111,112と、それらのアクセストランジスタ111,112のゲートに接続される1本のワード線WLとを設けるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

対称型に配置されるメモリセルを有するスタティックランダムアクセスメモリにおいて、(a)シリコン基板上に配置されるNMOSトランジスタからなるドライバトランジスタと、(b)その上方に形成され、多結晶シリコンPMOS薄膜トランジスタからなる負荷トランジスタと、(c)その上方に形成され、多結晶シリコンNMOS薄膜トランジスタからなるアクセストランジスタと、(d)該アクセストランジスタのゲートに接続される1本のワード線とを具備することを特徴とするスタティックランダムアクセスメモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/11 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 311 C