特許

J-GLOBAL ID：200903064143971779

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 加藤 樹理
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-343518
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109347
出願日： 2003年10月01日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 コンタクト構造の煩雑化を抑制しつつ、コンタクト抵抗を低減させる。【解決手段】 ソース層6aおよびドレイン層6b上に金属間化合物層8a、8bをそれぞれ形成した後、層間絶縁膜9および金属間化合物層8a、8bをそれぞれ介してソース層6aおよびドレイン層6bをそれぞれ露出させる開口部10a、10bを形成してから、開口部10a、10bの底部に金属間化合物層13a、13bをそれぞれ形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

コンタクト領域に配置された半導体層と、 前記コンタクト領域において前記半導体層に接触し、仕事関数が互いに異なる2種類以上の金属層または金属間化合物層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

FI (10件)：

H01L21/28 301R ,  H01L21/28 L ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/50 M ,  H01L21/90 D ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616K ,  H01L27/08 321F

Fターム (176件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD84 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH04 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK15 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK29 ,  5F033KK30 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033NN16 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX09 ,  5F033XX31 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HM15 ,  5F110HM19 ,  5F110NN02 ,  5F110NN35 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA10 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA10 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ14 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ26 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-275436号公報