特許
J-GLOBAL ID:200903064144625424

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 強
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-195697
公開番号(公開出願番号):特開平11-040710
出願日: 1997年07月22日
公開日(公表日): 1999年02月12日
要約:
【要約】【課題】 生産性が低下することなく、厳しい使用条件下においても、製品としての高い信頼性を維持することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置11において、封止樹脂19の端部19aと絶縁保護層17との間に、封止樹脂19と絶縁保護層17に比べて柔軟性を有する柔軟性硬化樹脂18を設けた。温度変化が大きい条件下で使用した場合であっても、封止樹脂19と柔軟性硬化樹脂18との間および柔軟性硬化樹脂18と絶縁保護層17との間に、それらの線膨張率の差に起因して発生した応力は小さいものであるので、封止樹脂19と絶縁保護層17との間に発生した応力を緩和することができ、封止樹脂19が剥離することを防止することができる。この場合、封止樹脂19の材料としては、高価で、入手し難い特殊な材料を使用する必要はない。
請求項(抜粋):
回路基板上に半導体素子が搭載され、該回路基板上に前記半導体素子を囲繞するように絶縁保護層が設けられ、前記半導体素子が封止樹脂によって封止されてなる半導体装置において、前記絶縁保護層上において前記半導体素子を囲繞するように、硬化状態で柔軟性を有する柔軟性硬化樹脂を設け、前記封止樹脂の端部が全体にわたって前記柔軟性硬化樹脂上となるように構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (2件):
H01L 23/30 B ,  H01L 23/30 C
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭64-044051
  • 特開昭63-275150

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