特許
J-GLOBAL ID：200903064145285171
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080148
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283346
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】パーティクルの付着や汚染されることなく基板15を成膜室に導入し、良好なTFTを基板15に形成する。【構成】成膜室に真空加熱室を介して表面処理室を直結し、この表面処理室には、基板15を載置するトレー8と、トレー8を保持し室内を搬送するトレー支持体14と、基板15を加熱する加熱ランプ7と、基板15表面にオゾン・酸素混合ガスを散布するオゾン散布管10と、紫外線を照射する低圧水銀ランプ11と、後段に設けられるとともに不活性ガスを噴射する不活性ガス散布管12とを設け、成膜前における基板の汚染物を完全に除去する。
請求項（抜粋）：
基板表面のレジストおよび有機汚染物質を除去する表面処理室と表面処理後真空に排気し前記基板を膜形成温度に加熱する真空加熱室を介して成膜室とを直結し、基板を搭載するトレーを移動させることで表面汚染除き、加熱及び成膜を連続的に行なうことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 27/12
