特許

J-GLOBAL ID：200903064150102620

酸化物強誘電薄膜の製造方法

発明者： 渡辺 俊二 ,  田中 彰 ,  服部 徹夫
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 西澤 利夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305126
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139895
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【目的】 シリコン単結晶基板上に良質の強誘電薄膜を形成する。【構成】 シリコン単結晶基板上に緩衝層として酸化マグネシウム薄膜を形成し、次いで酸化物強誘電薄膜を緩衝層表面上に成長させる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上に緩衝層として酸化マグネシウム薄膜を形成後、酸化物強誘電薄膜を緩衝層表面上に成長させることを特徴とする酸化物強誘電薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/32 ,  C04B 35/49 ,  C23C 14/00 ,  C30B 23/02 ,  C30B 23/08 ,  H01B 3/12 301