特許

J-GLOBAL ID：200903064155074306

半導体記憶装置

発明者： 宇佐美 正己 ,  岩渕 正人 ,  中島 康博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立コンピュータエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037440
公開番号（公開出願番号）：特開平6-231582
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、ワード線負荷の均衡を図るための技術を提供することにある。【構成】 正規メモリセルRMCと基本的に等価なダミーメモリセルDMCを設けることによって、分割ワード線WL1A,WL1Bのそれぞれに結合されるメモリセルの数を等しくし、それによってマット分割にかかるワード線の負荷の均衡を図る。

請求項（抜粋）：

同一のタイミングで選択レベルに駆動される複数のワード線と、各ワード線のそれぞれに結合された複数の正規メモリセルとを含み、上記複数の正規メモリセルの記憶データの読出しを可能とする半導体記憶装置において、データ記憶機能を発揮すること無しに、上記複数のワード線の負荷の均衡をとるためのダミーメモリセルを含むことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭47-045494
  
• 特開昭47-045494