特許
J-GLOBAL ID：200903064155625973
高誘電率薄膜の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203790
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058292
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 有機金属あるいはアルコキシド、錯体等の有機基を含む金属化合物を用いるCVDにおいて、20nm以下の膜厚の高誘電率膜では酸素または活性な酸素により容易に膜中のCが取り除かれることを利用して高誘電率を有しリーク電流の低い高誘電率薄膜を提供する。【構成】 有機金属あるはアルコキシド、錯体等の有機基を含む金属化合物を用いて化学気相堆積法により、高誘電率薄膜を製造する方法において、金属酸化物薄膜の作製と酸素中あるいは活性化した酸素中での熱処理を繰り返すことにより所定の膜厚の高誘電率薄膜を作製する事を特徴とする高誘電率薄膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
有機金属あるいはアルコキシド、錯体等の有機基を含む金属化合物を用いて化学気相堆積法により高誘電率薄膜を製造する方法において、20nm以下の金属酸化物薄膜を堆積し、酸素雰囲気中で熱処理することを繰り返すことにより所定の膜厚の高誘電率薄膜を作製する事を特徴とする高誘電率薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/314
