特許
J-GLOBAL ID:200903064156706357

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 樺山 亨 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-112766
公開番号(公開出願番号):特開平5-136459
出願日: 1992年05月01日
公開日(公表日): 1993年06月01日
要約:
【要約】【目的】発光部の高密度化、光出力の均一化を実現し、光プリンター等の光源として高密度、高品位印字を実現することが可能な半導体発光装置を提供する。【構成】本発明は、少なくとも発光ダイオードの発光層23と該発光層を発光させるための電極27,28を含む積層構造よりなり積層端面より光出力が得られる端面発光型発光ダイオードを、等間隔に設けた複数の第一分離溝により各層を電気的空間的に分離して形成してなる発光ダイオードアレイ2により構成した半導体発光装置において、前記発光ダイオードアレイ2の光出射端面前方の基板形状を、出射光束の角度θと幾何学的に関係した階段状に形成し、該幾何学的に関係した階段形状が下記の二式を同時に満たすように形成したことを特徴とする。Lx<SB>2</SB><Lz<SB>2</SB>/tanθ ;(Lx<SB>2</SB>≠Lz<SB>2</SB>/tanθ),(0≦θ≦90°)Lx<SB>1</SB><Lz<SB>1</SB>/tanθ ;(Lx<SB>1</SB>≠Lz<SB>1</SB>/tanθ),(0≦θ≦90°)
請求項(抜粋):
少なくとも発光ダイオードの発光層と、該発光層を発光させるための電極を含む積層構造よりなり、積層端面より光出力が得られる端面発光型発光ダイオードを、等間隔に設けた複数の第一分離溝により各層を電気的空間的に分離して形成してなる発光ダイオードアレイにより構成した半導体発光装置において、前記端面発光型発光ダイオードの光出射端面前方の基板形状を、出射光束の角度θと幾何学的に関係した階段状に形成し、該幾何学的に関係した階段形状が下記の二式を同時に満たすように形成したことを特徴とする半導体発光装置。 Lx<SB>2</SB><Lz<SB>2</SB>/tanθ ;(Lx<SB>2</SB>≠Lz<SB>2</SB>/tanθ),(0≦θ≦90°) Lx<SB>1</SB><Lz<SB>1</SB>/tanθ ;(Lx<SB>1</SB>≠Lz<SB>1</SB>/tanθ),(0≦θ≦90°)
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開昭63-318183

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