特許
J-GLOBAL ID：200903064158143473
強誘電体キヤパシタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287589
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129156
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 直列あるいは並列接続された複数の強誘電体キャパシタを半導体基板上に容易に形成する。【構成】 シリコン基板100上に絶縁膜としてシリコン酸化膜102を形成し、Ptの下部電極104を形成する。この下部電極104上にPZT強誘電体膜106を形成し、更に絶縁膜としてシリコン窒化膜108を形成する。このシリコン酸化膜108のPZT強誘電体膜上にコンタクトホール108aを形成し、Ptの上部電極110を形成する。下部電極104と上部電極110で挟まれたPZT強誘電体膜領域が強誘電体キャパシタとして機能し、上部電極110あるいは下部電極104を共通とすることにより直列あるいは並列接続することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成ステップと、前記第1の絶縁膜上に第1の金属膜を形成する第1金属膜形成ステップと、前記第1の金属膜をエッチングして複数の下部電極を形成する下部電極形成ステップと、前記下部電極上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成ステップと、前記強誘電体膜上に第2の絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成ステップと、前記第2の絶縁膜をエッチングして前記強誘電体膜とのコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成ステップと、前記第2の絶縁膜上に第2の金属膜を形成する第2金属膜形成ステップと、前記第2の金属膜をエッチングして前記コンタクトホール上に複数の上部電極を形成する上部電極形成ステップと、を有することを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。
IPC (3件)：
H01G 7/06
, G01R 19/00
, H01L 27/04
