特許

J-GLOBAL ID：200903064160566772

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 浅井 市郎 ,  加藤 典司
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 小田 富士雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-084661
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160151
出願日： 1991年03月25日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高均一・高性能なpoly-SiTFTを提供するものである。【構成】本発明は、絶縁性基板上に堆積したアモルファスシリコン(以下「a-Si」という)層をエキシマレーザの照射により結晶化し多結晶シリコン(以下「poly-Si」という)層とする薄膜トランジスタの製造方法において、前記a-Si層をエキシマレーザの照射により結晶化しpoly-Si層とする際に、前記a-Si層が結晶化しpoly-Si層となるしきい値エネルギー密度より高く、かつ前記a-Si層から結晶化したpoly-Si層の表面平坦性が40%となるエネルギー密度より低い第1のエネルギー密度光を照射し、次に前記第1のエネルギー密度光によって形成された前記poly-Si層のグレイン内部およびグレイン境界に残る欠陥を溶融しうる第2のエネルギー密度光を照射することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に堆積したアモルファスシリコン(以下「a-Si」という)層をエキシマレーザの照射により結晶化し多結晶シリコン(以下「poly-Si」という)層とする薄膜トランジスタの製造方法において、前記a-Si層をエキシマレーザの照射により結晶化しpoly-Si層とする際に、前記a-Si層が結晶化しpoly-Si層となるしきい値エネルギー密度より高く、かつ前記a-Si層から結晶化したpoly-Si層の表面平坦性が40%となるエネルギー密度より低い第1のエネルギー密度光を照射し、次に前記第1のエネルギー密度光によって形成された前記poly-Si層のグレイン内部およびグレイン境界に残る欠陥を溶融しうる第2のエネルギー密度光を照射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12