有機薄膜トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215748
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055568
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】本発明の課題は、製造が容易でかつ表面性、平滑性に優れた膜質を有し、かつすぐれた電気的特性を兼ね備えた有機トランジスタを提供することを目的とするものである。【構成】ドーピングが施された縮合ベンゼン環の数が4以上13以下である縮合多環芳香族化合物薄膜を用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタである。本発明のトランジスタはアクセプタまたはドナー分子がドーピングされた縮合多環芳香族化合物の半導体特性を利用したものである。【効果】本発明のトランジスタは通常の無機材料、有機材料の半導体素子と異なり作製が容易でありかつ優れた電気的特性を示す。該トランジスタの製造において基板温度が常温で行えるため種々の基板上にトランジスタが形成可能である。また、膜質として表面性・平滑性などに優れるため工業上有用である。

請求項（抜粋）：

ドーピングが施された縮合ベンゼン環の数が4以上13以下である縮合多環芳香族化合物薄膜を用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタ

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 29/28

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