特許
J-GLOBAL ID：200903064164295234
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203230
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070000
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法に関し、有機系高分子材料を出発物質として絶縁膜を形成する際にクラック及び脱ガスの発生を抑制すること。【構成】一般式(RSiH)n で示される珪素重合体から絶縁膜を形成する工程を有することを含む。
請求項（抜粋）：
一般式(RSiH)n で示される珪素重合体から絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法(Rは炭化水素、Siは珪素、Hは水素を表す)。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
