特許

J-GLOBAL ID：200903064164319214

半導体結晶の製造方法

発明者： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  湖東 雅弘
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353044
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168042
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 大面積のGaN結晶を得ること、及び通常のマスク層を用いるELO成長に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】 (a)図に示すように、成長面が凹凸面とされ、凹面12にマスク3が形成された基板1を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、マスク3が存在するため、凸部11の上方部からしか結晶成長が起こらない。従って(b)図に示すように、結晶成長開始時は結晶単位20が発生し、さらに結晶成長を続けると凸部11の上方部を起点とし横方向に成長した膜がつながって、やがて(c)図のように凹部に空洞部13を残したまま、基板1の凹凸面を覆うように半導体結晶2を成長する。しかる後、(d)図のように空洞部13の部分において、半導体結晶2を分離する。

請求項（抜粋）：

基板の結晶成長面を凹凸面とし、気相成長法により該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長させることで前記凹凸面が半導体結晶で覆われると共に、この半導体結晶層と前記凹凸面における凹部との間に空洞部を具備する積層体を作製し、前記空洞部分において半導体結晶と基板とを分離することを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (35件)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045EB15 ,  5F045HA03 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35