特許

J-GLOBAL ID：200903064165541298

半導体装置の製造方法

発明者： 北川 勝彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318786
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150184
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 コンタクト孔へのタングステン膜の埋め込み工程の改善を図る。【解決手段】 半導体基板1上に形成したシリコン窒化膜3が介在した層間絶縁膜5に形成したコンタクト孔7内をスパッタ前洗浄した後、該コンタクト孔7内及び層間絶縁膜5上に第1のチタンナイトライド膜9を形成する。次に、前記スパッタ前洗浄により層間絶縁膜5内のシリコン窒化膜3が突き出てひさし状となった部分に被覆した前記第1のチタンナイトライド膜9をArにより逆スパッタした後、該第1のチタンナイトライド膜9上に第2のチタンナイトライド膜を形成することで、コンタクト孔7内にバリアメタル膜をほぼ均一に被着するものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成したシリコン窒化膜が介在した層間絶縁膜に形成したコンタクト孔内にチタン膜及びチタンナイトライド膜から成るバリアメタル膜を介してコンタクトプラグ材を埋め込む工程を有する半導体装置の製造方法において、前記コンタクト孔内をスパッタ前洗浄した後に該コンタクト孔内及び層間絶縁膜上に第1のバリアメタル膜を形成する工程と、前記第1のバリアメタル膜を不活性ガスにより逆スパッタする工程と、前記第1のバリアメタル膜上に第2のバリアメタル膜を形成する工程と、前記第2のバリアメタル膜を介して前記コンタクト孔内を含む全面にコンタクトプラグ材を形成した後に該コンタクトプラグ材をエッチバックして前記コンタクト孔内にコンタクトプラグを埋設する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371