特許
J-GLOBAL ID：200903064166209190
n型SiC用電極とその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-055936
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045651
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 炭化ケイ素発光ダイオード素子の高輝度化を実現できるn型SiC用オーミック電極とその形成方法を提供することを目的とする。【構成】 n型SiC基板1上に、高反射率金属(Ag)高含有層7と、Ni高含有層8をこの順序で構成したオーミック電極9を形成した。
請求項（抜粋）：
n型SiC上に形成されたNiと高反射率金属からなる電極を備え、該電極は前記n型SiC側に高反射率金属を高含有することを特徴とするn型SiC用電極。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
