特許
J-GLOBAL ID：200903064168030073
半導体基板の処理方法および処置装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089304
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275592
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 銅を含むAl配線を純水洗浄した際に腐食孔が発生しないようにすること。【構成】 Cuを含有するAl合金膜12が形成された半導体基板10と電極15とを超純水内に浸漬し、基板10上のAl合金膜12を直流電源14のプラス側に接続し、電極15を直流電源14のマイナス側に接続し、Al合金膜12と電極15との間に電圧を印加しながら基板10を純水洗浄する。
請求項（抜粋）：
銅を含有するアルミニウム合金部材が形成された半導体基板と電極とを比抵抗の高い純水内に浸漬し、前記基板上のアルミニウム合金を直流電源の+(プラス)側に接続し、前記電極を前記直流電源の-(マイナス)側に接続し、前記アルミニウム合金と電極との間に電圧を印加しながら前記基板を純水洗浄することを特徴とした半導体基板の処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/28
