特許

J-GLOBAL ID：200903064174116680

電磁波シールド層形成方法

発明者： 佐藤 一也 ,  奥野 晴彦
出願人/特許権者： 奥野製薬工業株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062140
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251085
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】プラスチック容器に対して、重量増加を極力抑えた上で、広域周波数帯において良好な電磁波シールド効果を有し、耐腐食性に優れ、美観も良好な電磁波シールド層を簡単に形成できる方法を提供する。【解決手段】プラスチック容器に、電気めっき法によって厚さ5〜15μmの銅めっき皮膜を形成することを特徴とする電磁波シールド層の形成方法。

請求項（抜粋）：

プラスチック容器に導電性皮膜を形成した後、電気めっき法によって厚さ5〜15μmの銅めっき皮膜を形成することを特徴とするプラスチック容器に電磁波シールド層を形成する方法。

IPC (2件)：

H05K 9/00 ,  B32B 15/08

FI (2件)：

H05K 9/00 D ,  B32B 15/08 F

Fターム (29件)：

4F100AB13E ,  4F100AB16D ,  4F100AB17B ,  4F100AB17C ,  4F100AK01A ,  4F100AK74A ,  4F100AR00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10C ,  4F100BA10E ,  4F100DA01 ,  4F100EH71C ,  4F100EH71D ,  4F100EH71E ,  4F100EJ15A ,  4F100EJ64A ,  4F100EJ85A ,  4F100GB41 ,  4F100GB48 ,  4F100JB02 ,  4F100JD08 ,  4F100JG01B ,  4F100YY00C ,  5E321AA01 ,  5E321BB23 ,  5E321BB25 ,  5E321GG05