特許
J-GLOBAL ID：200903064182906925

プラズマ密度情報測定方法及びその装置、並びにプラズマ処理方法及びその装置

発明者：
菅井 秀郎

菅井 秀郎 について

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豊田 直樹

豊田 直樹 について

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南光 正平

南光 正平 について


出願人/特許権者：
名古屋大学長

名古屋大学長 について

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株式会社ニッシン

株式会社ニッシン について


代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060296
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261085
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 磁化されたプラズマ中でプラズマ密度情報を精度良く測定することを課題とする。【解決手段】 チャンバ1の上部の周辺部に配設されたコイル4によって磁化されたプラズマPM中に、測定プローブ7とガウスメータ8とを挿入する。測定プローブ7によってプラズマ密度情報の1つでもある吸収周波数を測定する。この測定された吸収周波数は磁場Bの影響を受けており正確な値でないので、ガウスメータ8によって測定された磁場Bに基づいて、吸収周波数校正部25で校正する。このことによって、磁化されたプラズマ中で吸収周波数等のプラズマ密度情報を精度良く測定することができる。
請求項（抜粋）：
磁化されたプラズマ中で、プラズマの特性を示すプラズマ密度情報を測定するプラズマ密度情報測定方法であって、(a)前記プラズマ密度情報を測定するためのプローブであるプラズマ密度情報測定用プローブが置かれた位置の磁化されたプラズマ中の磁場の大きさを等価的に測定する過程と、(b)前記プラズマ密度情報を測定するためのプラズマ密度情報測定用電源からプラズマ密度情報測定用電力を磁化されたプラズマに供給する過程と、(c)前記プラズマ密度情報測定用プローブを用いて、プラズマ負荷による前記プラズマ密度情報測定用電力の反射または吸収に基づいて、前記磁場の影響を受けたプラズマ密度情報を測定する過程と、(d)測定された磁場に基づいて、前記プラズマ密度情報測定用プローブによって測定されたプラズマ密度情報を校正する過程とを備えていることを特徴とするプラズマ密度情報測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
C23F 4/00 A ,  H05H 1/00 A ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 E
Fターム (14件)：
4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DM03 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004CA09 ,  5F004CB20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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