特許

J-GLOBAL ID：200903064183329328

積層型圧電素子の製造方法

発明者： 久村 達雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314429
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153649
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 積層型圧電素子の製造における工程数を減らして、製造を簡略化させる。【解決手段】 内部電極を形成した圧電セラミックグリーンシートを、端部をずらして交互に積み重ねた積層体を形成する工程と、積層体を焼成し一体化する工程と、一体化した積層体の両端部に絶縁体を形成する工程と、積層体の両端部を、交互に積み重ねた内部電極の一端が交互に現れる位置で切断する工程と、切断した面の端部に露出した内部電極と接続する一対の外部電極を形成する工程とを採って積層型圧電素子を製造する。

請求項（抜粋）：

内部電極を形成した圧電セラミックグリーンシートを、端部をずらして交互に積み重ねた積層体を形成する工程と、上記積層体を焼成し一体化する工程と、上記一体化した積層体の両端部に絶縁体を形成する工程と、上記積層体の両端部を、交互に積み重ねた内部電極の一端が交互に現れる位置で切断する工程と、上記切断した面の端部に露出した内部電極と接続する一対の外部電極を形成する工程とを有することを特徴とする積層型圧電素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 41/22 ,  B28B 11/00 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/107 ,  H04R 31/00

FI (5件)：

H01L 41/22 Z ,  H04R 31/00 C ,  B28B 11/00 Z ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/08 A