半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302562
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359378
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】できるだけ工程数を増やすことなく又安価なコストで、深部膨張形拡散領域を実現する。【解決手段】 n型エピタキシャル成長層12の表面にイオン注入用マスク13Mを形成する。イオン注入用マスク13Mを用いて、n型エピタキシャル成長層12の深い位置に、ボロン(11B+)の選択イオン注入を行う。更に、イオン注入用マスク13Mを用いて、n型エピタキシャル成長層12の表面から、ボロンよりも浅い位置にアルミニウム(27Al+)の選択イオン注入を行う。その後、活性化熱処理により、p型の深部膨張形拡散領域15a,15bを形成する。深部膨張形拡散領域15a,15bは、オーミックコンタクト領域11に近づくに従い、深さ方向に垂直方向の横方向の拡散幅が広くなるようにされている。

請求項（抜粋）：

第1導電型のオーミックコンタクト領域と、該オーミックコンタクト領域の上部に設けられ、該オーミックコンタクト領域よりも低不純物濃度で、2.2eVよりも禁制帯の広い広禁制帯幅材料からなる第1導電型のドリフト領域と、該ドリフト領域の表面に頂部を露出して、該ドリフト領域の内部に設けられ、前記ドリフト領域の表面から前記オーミックコンタクト領域に向かって、水平方向断面積が次第に広くなるようにされた複数個の第2導電型の深部膨張形拡散領域と、前記ドリフト領域の表面に接して設けられた前記ドリフト領域とショットキー接合をなすショットキー電極とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (13件)：

H01L 29/872 , H01L 21/06 , H01L 21/265 , H01L 21/331 , H01L 21/336 , H01L 21/822 , H01L 29/161 , H01L 29/737 , H01L 29/74 , H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 29/80

FI (15件)：

H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 29/48 D , H01L 29/78 658 E , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 F , H01L 29/48 F , H01L 29/80 V , H01L 29/163 , H01L 29/74 M , H01L 29/78 301 V , H01L 29/72 H , H01L 27/06 T

Fターム (57件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104FF01 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104GG18 , 5F003AP04 , 5F003BE04 , 5F003BF03 , 5F003BF06 , 5F003BG03 , 5F003BH08 , 5F003BJ12 , 5F003BJ93 , 5F003BM01 , 5F003BM04 , 5F003BP05 , 5F003BZ01 , 5F003BZ02 , 5F003BZ03 , 5F005AC01 , 5F005AE02 , 5F005AE07 , 5F005AE09 , 5F005AF02 , 5F005AH02 , 5F005GA01 , 5F102FA01 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GC09 , 5F102GC10 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GM02 , 5F102GS03 , 5F140AA24 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140BA02 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BF43

引用特許：

審査官引用 (1件)

炭化けい素ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132479 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社

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