特許

J-GLOBAL ID：200903064191679982

半導体装置

発明者： 丸山 康
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232393
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066282
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 ホットキャリア効果によりMOS型半導体素子3のチャンネルのドレイン近傍で発生したフォトンが他の半導体素子の拡散層等に侵入して少数キャリアを発生させる虞れをなくす。【構成】 素子分離領域(例えば選択酸化膜)5に遮光層7を設ける。遮光層7としてスリット4を充填する、例えば光吸収性を有するシリコンカーバイトSiCを用いる。

請求項（抜粋）：

少なくとも一部のMOS型半導体素子の素子分離領域にそのMOS型半導体素子から発生するフォトンの他の素子への伝播を阻む遮光層を有することを特徴とする半導体装置

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 301 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-278558
  
• 特開平1-187838
  
• 特開平4-213857