特許
J-GLOBAL ID：200903064193647352
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068185
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283612
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 高融点金属シリサイド膜を含む配線層に対して、低抵抗のコンタクトを実現する半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン電極30,31は、シリコン層8,20とこのシリコン層8,20の上に形成された高融点金属シリサイド層10,22とを含む配線層のシリコン層8,20に接続されている。これにより、高融点金属シリサイド層表面に形成される自然酸化膜に影響されることなく良好なシリコン電極と配線層とのコンタクトを得ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
シリコン層と前記シリコン層の上に形成された高融点金属シリサイド層とを含む配線層と、前記配線層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを通じて、前記配線層に電気的に接続されたシリコン電極と、を備え、前記シリコン電極は、前記シリコン層に接続されている半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28 301
